更新時(shí)間:2024-11-03
抗干擾介質(zhì)損耗儀、變頻介損測(cè)試儀介質(zhì)損耗(tgδ): 1%±0.07%(加載電流20μA~500mA)正接介質(zhì)損耗(tgδ): 2%±0.09%(加載電流?。郸蹋痢?μA)反接
SHJS-20B變頻抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀淘汰了QSI高壓電橋,具有操作簡(jiǎn)單、中文顯示、打印,使用方便、無需換算、自帶高壓,抗干擾能力強(qiáng) 等優(yōu)點(diǎn)。體積小、重量輕,是我廠的第三代智能化介質(zhì)損耗測(cè)試儀。
技術(shù)指標(biāo)
1.環(huán)境溫度:0~40℃(液晶屏應(yīng)避免長(zhǎng)時(shí)日照)
2.抗干擾介質(zhì)損耗儀、變頻介損測(cè)試儀相對(duì)濕度:30%~70%
3.供電電源:電壓:220V±10%,頻率:50±1Hz
4.抗干擾介質(zhì)損耗儀、變頻介損測(cè)試儀外形尺寸:長(zhǎng)×寬×高=490mm×300mm×390mm
5.重量:約18Kg
6.輸出功率:1KVA
7.顯示分辨率:4位
8.測(cè)量范圍:
介質(zhì)損耗(tgδ):0-50%
電容容量(Cx)和加載電壓:
2.5KV檔:≤ 300nF( 300000pF)
3KV檔:≤200nF( 200000pF)
5KV檔:≤ 76nF( 76000pF)
7.5KV檔:≤ 34nF( 34000pF)
10KV檔:≤ 20nF( 20000pF)
9.基本測(cè)量誤差:
介質(zhì)損耗(tgδ): 1%±0.07%(加載電流20μA~500mA)正接
介質(zhì)損耗(tgδ): 2%±0.09%(加載電流?。?mu;A~20μA)反接
電容容量 ( Cx):1.5%±1.5pF
上海蘇霍電氣有限公司
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